基区表面掺杂浓度对NPN型晶体管电离辐射效应的影响

• 作者: 吴雪 李兴冀 李骏 杨剑群 王健安 王志宽
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: NPN型晶体管 表面掺杂浓度 电离损伤 深能级瞬态谱
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 54-58
• 页数: 5页
• 分类号: TN431
• 字数: 3894字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2019.030603

摘要

针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用60Co γ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制.研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN型晶体管对电离辐射更为敏感,其基极电流增幅更大;随着吸收剂量的增加,NPN型晶体管的电流增益退化程度加剧;在基区表面掺杂浓度高的NPN晶体管中,电离辐射诱导的氧化物电荷和界面态能级位置均更接近于禁带中央,导致复合率增大,从而使晶体管的电学性能退化程度加剧.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李兴冀		19	54	3.0	7.0
2	杨剑群		16	38	2.0	5.0
3	王健安	中国电子科技集团公司第二十四研究所	6	40	3.0	6.0
5	王志宽	中国电子科技集团公司第二十四研究所	4	11	3.0	3.0
7	李骏	中国电子科技集团公司第二十四研究所	5	9	1.0	3.0
8	吴雪	中国电子科技集团公司第二十四研究所	2	2	1.0	1.0