CVD法生长单层二硒化钼及二硫化锡

• 作者: 李肖肖
• 来源期刊: 化工技术与开发
• 学科: 化学
• 关键词: 二硒化钼 二硫化锡 化学气相沉积 光电性能
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 25-30
• 页数: 6页
• 分类号: O612.6|TQ134.32
• 字数: 4480字
• 语种: 中文

摘要

二维(2D)材料由于其独特的结构和优异的光电特性,有望用于下一代半导体.二维材料的大规模高质量制备仍然是研究热点之一.本文采用化学气相沉积法(CVD),合成了单层MoSe2和薄层SnS2,并研究了其光电性能.合成的单层MoSe2面积大,分散均匀,晶体质量好.基于MoSe2的FET表现出优异的电子传输性能.同时,在云母片上合成了薄层SnS2,SnS2连续薄膜上分散有少层的SnS2薄片.研究了SnS2薄片的光电性能,其场效应开/关电流比达到102,同时表现出良好的光响应性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李肖肖	温州大学化学与材料工程学院浙江省碳材料技术研究重点实验室	1	0	0.0	0.0