电制冷高纯锗探测器宽能区效率刻度

• 作者: 倪邦发 刘旭东 唐婵娟 姚永刚 方方 杨竣凯 石从 肖才锦 运威旭
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 宽能区效率刻度 瞬发γ中子活化分析 电制冷高纯锗探测器
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 核电子学与仪器
• 页码范围: 020402
• 页数: 1页
• 分类号: TL99
• 字数: 2603字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253‐3219.2019.hjs.42.020402

摘要

介绍电制冷高纯锗探测器在宽能区探测效率曲线刻度方法,提出并验证了在无低能标准源时可采用157Gd冷中子瞬发γ源进行代替.实验中使用探测效率分段对数拟合及整体对数多项式拟合,对两种拟合方式进行对比,并使用152Eu缓发源和157Gd、35Cl冷中子瞬发γ源能量相交区域进行拟合和误差计算.实验结果表示:整体拟合的计算相对简单,但分段拟合获得数据更为准确,相关性更好.无低能标准源可用时,使用157Gd (n,γ)源效果更佳.