一种延长NAND闪存寿命的新策略

• 作者: 林殷茵 苟军林 赵彦卿
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 预测刷新 与非型(NAND)闪存 寿命 驻留错误 最大刷新周期
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 735-740
• 页数: 6页
• 分类号: TN407|TP333.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.09.014

摘要

提出预测刷新策略来延长与非型(NAND)闪存寿命.预测刷新的核心是挖掘闪存中块的最大刷新周期,然后使用该周期刷新块来减少驻留错误,保证块中页的错误数(FBC)在错误纠正码(ECC)的纠错能力范围内.预测刷新利用驻留错误与驻留时间近似线性的关系和使FBC逐渐逼近刷新区间的思路,根据前两次的实测数据预测下一次的检测时间,能准确、简单地获得块的最大刷新周期,且不受单元工艺波动影响.在软硬件结合的现场可编程门阵列(FPGA)测试平台下对多值存储(MLC) NAND闪存进行测试,结果表明:预测刷新策略相比于不刷新策略最大能延长NAND闪存7倍的寿命;相比于周期刷新策略最大能减小74％的系统干扰;并且刷新周期检测准确度高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林殷茵	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	40	129	7.0	10.0
2	赵彦卿	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
3	苟军林	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	0	0.0	0.0