Vishay最新第四代600V E系列MOSFET器件问市

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 第四代
• 年，卷（期）: bdtxx_2019,（1）
• 页码范围: 7-8
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出最新第四代600VE系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600VE系列MOSFET低27%,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60%。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平,该参数是600V MOSFET在功率转换应用中的关键指标(FOM)。