衬底温度对共蒸发法制备Cu2ZnSnSe4太阳电池的影响

• 作者: 刘航 孙顶 张力 张玉红 李玉丽 王凌群 迟耀丹 郭秀娟
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳电池 铜锌锡硒 共蒸发 温度
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 334-339
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31|TB34
• 字数: 3144字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20194003.0334

摘要

采用共蒸发法在不同衬底温度下沉积Cu2 ZnSnSe4(简称CZTSe)薄膜,分析了衬底温度对CZTSe材料性质及电池性能的影响.研究表明:当衬底温度较低时(380℃),CZTSe薄膜中含有SnSex使电池失效;随着衬底温度的升高,CZTSe薄膜的结晶质量明显提升,电池开路电压增加.但当衬底温度达到460℃时,电池的转换效率反而下降;结合CZTSe的生长机理及器件模型分析了电池效率下降可能的原因.最终在衬底温度420℃的条件下制备出效率为3.12％(有效面积0.34 cm2)的CZTSe太阳电池.