若干In2Se3化合物的晶体结构与电子特性

• 作者: 刘惠军 汪垒
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: In2Se3化合物 晶体结构 电子特性
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 页码范围: 229-240
• 页数: 12页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13380/j.ltpl.2019.04.001

摘要

In2Se3是一种常见的A2ⅢB3Ⅵ型半导体,在不同温度下可表现出不同的物相,对应的晶格参数与物理性质也会有所不同.在过去几十年间,In2Se3的多相性引起了人们的关注,各物相的晶体结构被广泛地研究.近年来,研究发现α-In2Se3具有优异的光电、压电性能以及独特的铁电性能,可以预见它将在未来的半导体电子器件中发挥出重要的作用.本文综述了一系列In2Se3化合物的晶体结构与电子特性,我们首先简要介绍了这些In2Se3化合物的基本知识,接着详细讨论了它们的晶体结构与电子特性,最后对In2Se3化合物的研究前景进行了展望.