InP/InGaAs探测器氮化硅钝化膜的ICPCVD生长技术

• 作者: 杨文运 杨绍培 范明国 褚祝军 龚燕妮
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 工学
• 关键词: InP/InGaAs探测器 ICPCVD 氮化硅
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 511-514
• 页数: 4页
• 分类号: TN363
• 字数: 2346字
• 语种: 中文

摘要

采用ICPCVD工艺对InP/InGaAs探测器进行SiNx薄膜钝化,讨论了不同气体比例、射频功率和反应压力对SiNx薄膜应力和致密性的影响.初步得到了低应力、良好致密性的SiNx薄膜沉积工艺.利用此工艺制作的InP/InGaAs探测器在偏压为-10 mV的暗电流比PECVD工艺制作的器件降低了一个数量级,为4.4×10-8 A.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	褚祝军		3	3	1.0	1.0
5	龚燕妮		3	5	1.0	2.0
9	杨文运		1	0	0.0	0.0
10	杨绍培		3	12	2.0	3.0
11	范明国		3	12	2.0	3.0