二维SnSe和SnSe2薄膜的可控制备

• 作者: 岳超 罗斯玮 钟建新 陆冬林
• 来源期刊: 湘潭大学自然科学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SnSe SnSe2 气相沉积 表征手段
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 物理
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: O472
• 字数: 1973字
• 语种: 中文

摘要

目前二维Ⅳ-Ⅵ族窄带隙半导体材料在存储开关、太阳能转换、热电转换和近红外光电器件等领域受到了广泛关注.其中硒化锡(SnSe)和二硒化锡(SnSe2)作为典型的Ⅳ-Ⅵ族窄带隙半导体,由于其优异的电子和光电性能成了研究热点.目前,制备SnSe和SnSe2薄膜通常需要使用两套气相沉积系统,而制备SnSe2纳米片更是需要通过化学气相沉积的方法才能获得,因此面临制备成本高、可控性低的问题.该文提供了一种气相沉积方法,一步制备了SnSe和SnSe2薄膜,大大提高了制备效率.该方法只需要控制加热温度,制备过程简单可控.通过一系列的表征手段证明,制备的SnSe薄膜和SnSe2薄膜十分纯净.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟建新	湘潭大学物理与光电工程学院微纳能源材料与器件湖南省重点实验室	29	89	7.0	9.0
2	岳超	湘潭大学物理与光电工程学院微纳能源材料与器件湖南省重点实验室	2	0	0.0	0.0
3	罗斯玮	湘潭大学物理与光电工程学院微纳能源材料与器件湖南省重点实验室	4	0	0.0	0.0
4	陆冬林	湘潭大学物理与光电工程学院微纳能源材料与器件湖南省重点实验室	2	0	0.0	0.0