一种抑制SiC MOSFET桥臂串扰的改进门极驱动设计

• 作者: 廖兴林 李辉 王坤 钟懿 黄樟坚
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET 串扰抑制 门极驱动 辅助支路 开关损耗与延时
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 275-285
• 页数: 11页
• 分类号: TM133|TN34
• 字数: 4638字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.171576

摘要

由于传统驱动下碳化硅 (SiC) MOSFET受高开关速度特性及寄生参数影响, 桥臂串扰现象更加严重, 而现有抑制串扰驱动电路又往往会增加开关损耗、开关延时和控制复杂程度, 因此本文结合驱动阻抗控制与负压关断的串扰抑制方法, 提出一种改进门极驱动电路.首先, 阐述串扰现象产生原理及其典型抑制方法.其次, 在负压关断前提下, 基于控制辅助三极管开断, 降低串扰产生过程中驱动回路阻抗的思想, 提出一种在栅源极增加三极管串联电容新型辅助支路的改进驱动方法, 并分析其工作原理, 研究改进驱动电路关键参数设计原则.最后, 搭建双脉冲测试实验平台, 在不同驱动电阻、输入电压、负载电流条件下对改进驱动电路设计的有效性进行验证.结果表明, 传统驱动下SiC MOSFET桥臂串扰现象明显.相比典型抑制串扰驱动电路, 提出的驱动方法在有效抑制串扰同时, 减小了开关损耗与开关延时.