低温铝诱导非晶硅晶化的热力学机理研究

• 作者: 张力元 杜凯翔 杨培志 杨雯 段良飞
• 来源期刊: 云南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶硅薄膜 磁控溅射 铝诱导晶化 热力学机理 中间氧化层
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 可再生能源研究
• 页码范围: 15-20
• 页数: 6页
• 分类号: O751
• 字数: 4428字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7699/j.ynnu.ns-2019-060

摘要

采用磁控溅射方法沉积了Al/Si薄膜,通过自然氧化形成中间层,再结合快速光热退火制备出微晶硅.研究了铝诱导非晶硅晶化的两个热力学过程:Si的扩散和Si的形核长大.利用拉曼散射光谱仪和X射线衍射仪对薄膜进行了结构表征.结果表明:在铝诱导非晶硅的晶化过程中引入中间氧化层,有利于改善晶化效果,获得晶粒较大且结构均匀的薄膜;低温下,温度对Si的扩散起决定作用,过厚的氧化层会阻碍Si的扩散,使其浓度不能达到临界形核浓度,无法使非晶硅晶化;较大的Al晶粒及Al对Si晶粒的“润湿”能在低温下诱导非晶硅晶化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨培志	云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	42	68	5.0	6.0
2	张力元	云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	4	1	1.0	1.0
6	杨雯	云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	12	14	2.0	3.0
7	段良飞	云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	6	14	2.0	3.0
8	杜凯翔	云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室	3	0	0.0	0.0