缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力损伤及其与海马突触素表达水平的相关性研究

• 作者: 宋长明 李建鸿 杨敏光 柳维林 金婷婷 陈立典 陶静 黄佳
• 来源期刊: 中国康复
• 学科: 医学
• 关键词: 脑缺血再灌注 学习记忆 海马 突触素
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 医学康复
• 页码范围: 59-63
• 页数: 5页
• 分类号: R49|R743.3
• 字数: 4122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3870/zgkf.2019.02.001

摘要

目的:观察缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力损伤及其与海马突触素(SYN)蛋白表达的相关性.方法:将于SPF饲养的雄性SD大鼠16只分为模型组10只和对照组6只.模型组大鼠采用改良Longa线栓阻塞法制备左侧大脑中动脉梗塞(middle cerebral artery occlusion,MCAO)模型,将符合纳入标准的6只模型组大鼠和6只对照组大鼠纳入实验.Zea-Longa神经行为学评分法检测大鼠的神经功能缺损状况;T2加权像(T2-weighted image,T2WI)扫描观察大鼠脑梗死体积;巴恩斯迷宫检测大鼠的学习记忆能力;蛋白免疫印迹法检测大鼠海马突触素SYN的表达水平.将模型组大鼠SYN表达水平与逃避潜伏期、进入错误洞口次数做相关性分析.结果:造模2h后,模型组大鼠Zea-Longa评分升高;造模24h后,T2加权像显示模型组大鼠出现脑梗死;巴恩斯迷宫数据显示与对照组相比,模型组大鼠找到正确洞口的时间明显延长(P＜0.01),其进入错误洞口次数显著明显增多(P＜0.01);蛋白免疫印迹检测结果显示与对照组相比,模型组大鼠海马SYN表达量显著下降(P＜0.01).相关性统计结果显示模型组大鼠SYN表达水平与大鼠逃避潜伏期以及进入错误洞口次数呈显著负相关(P＜0.05):SYN表达水平与大鼠逃避潜伏期相关系数r=-0.916 (P＜0.05);SYN表达水平与大鼠进入错误洞口次数相关系数r=-0.87(P＜0.05).结论:脑缺血再灌注损伤大鼠学习记忆能力下降可能与海马突触素SYN表达减少,从而使突触可塑性受损有关,并且SYN下降越明显,大鼠学习记忆能力损伤越严重.