硫化气压对溶胶-凝胶法制备CuSbS2薄膜性能的影响

• 作者: 丁玲 刘季锦花 咸贵阳 张桂湘 林玲 王威
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: CuSbS2薄膜 硫化气压 溶胶-凝胶法 光学性能 太阳电池
• 年，卷（期）: 2019,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 706-711
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.26
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.09.009

摘要

CuSbS2是一种良好的太阳电池吸收层材料,其组成元素毒性低且地球储量比较丰富.采用溶胶-凝胶法制备CuSbS2薄膜,为了去除薄膜中的氧化物并提高薄膜质量,对薄膜进行了硫化处理.采用X射线衍射仪、喇曼光谱仪、扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计等表征手段,分析CuSbS2薄膜的结晶性、物相结构、微观形貌和光学性能.结果 表明,所制备的薄膜为硫铜锑矿结构的CuSbS2;较低硫化气压可以提高薄膜的结晶性能,但低压下制得的CuSbS2薄膜表面孔洞较多.当硫化气压由10 kPa升至30 kPa时,制备的CuSbS2薄膜的吸收系数降低;硫化气压由50 kPa升至70 kPa时,薄膜吸收系数升高,在可见光范围内,吸收系数均大于104 cm-1.薄膜的禁带宽度最大为1.47 eV,与太阳光谱匹配.