K掺杂优化CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的研究

• 作者: 宋江 成鹏飞 曹壮
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 关键词: CaCu3Ti4O12 掺杂 本征点缺陷 介电性能
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 避雷器
• 页码范围: 9-15
• 页数: 7页
• 字数: 3196字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16188/j.isa.1003-8337.2019.01.002

摘要

使用固相反应法制备了不同浓度K+掺杂的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷试样,采用XRD、SEM、EDS、XPS、宽频介电谱仪对掺杂后的CCTO陶瓷的相结构、显微结构、晶粒与晶界内阳离子分布、阳离子氧化态、介电性能进行了表征,结果表明:K+优先替代了Ca2+形成受主掺杂.根据电荷守恒,晶粒内以生成氧空位为主,金属离子析出被抑制,此时晶粒尺寸趋于减小.当掺杂浓度超过6 mol％时,晶胞膨胀形成了Cu空位.介电性能的变化与点缺陷和显微结构的变化有关,K+掺杂后,晶粒尺寸先减小,然后随掺杂浓度的增加而增大.掺杂使晶界与晶粒比例的变化或阻抗的改变,导致了晶粒尺寸或阻抗的变化,从而影响CCTO介电性能.因此,点缺陷调控是改善CCTO介电性能的有效方式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成鹏飞	西安工程大学理学院	31	172	8.0	12.0
2	宋江	西安工程大学理学院	2	7	1.0	2.0
3	曹壮	西安工程大学理学院	1	0	0.0	0.0