600 V耗尽型GaN功率器件栅极驱动方案设计

• 作者: 冯旭东 张春奇 张波 明鑫 潘溯 胡黎
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 耗尽型GaN器件 600V高压 栅极驱动
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: GaN基功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 57-63
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 3980字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.57

摘要

介绍了一种适用于600 V耗尽型氮化镓GaN(gallium nitride)器件的栅极驱动策略以及对应的驱动电路,并分析了采用耗尽型GaN功率器件的原因.驱动电路在功率管开启过程的2个阶段采用2种驱动强度的电流,在减小功率管开启过程中dv/dt的同时,保证功率管的开启速度.基于0.35μm BCD工艺对电路进行仿真验证,结果表明:在600 V输入电压的半桥驱动应用下,驱动电路在GaN功率器件阈值电压前提供700 mA驱动电流,达到阈值电压后提供190 mA稳定驱动电流,开关节点的dv/dt为150 V/ns,传输延迟加开启延迟为20 ns.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
2	明鑫	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	49	207	7.0	12.0
3	张春奇	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
4	胡黎	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	0	0.0	0.0
5	潘溯	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	0	0.0	0.0
6	冯旭东	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	0	0.0	0.0