LTE微型直放站的研究与设计

• 作者: 李世文 李立聪
• 来源期刊: 无线电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 直放站 单片机 防自激 自动增益控制 低噪放
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 电磁场与微波
• 页码范围: 709-714
• 页数: 6页
• 分类号: TN839
• 字数: 2567字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-3106.2019.08.013

摘要

针对传统直放站的增益控制困难且容易产生自激等问题,提出了一种具有自动增益控制和防自激的LTE微型直放站的设计方法.该款微型直放站采用噪声系数小、 增益高的SGA8343芯片和单片机来实现,其上行频段为1710～1785 MHz,下行频段为1805～1880 MHz.对该款微型直放站的RF电路、ATT衰减电路、AGC控制电路和单片机控制电路进行了介绍,对微型直放站进行了测试与分析.测试结果表明,下行增益约为75 dB,上行增益约为80 dB,平坦度小于6 dB(p-p),噪声系数小于6 dB,可以满足在实际工程中的应用要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李世文		14	12	1.0	3.0
2	李立聪		3	1	1.0	1.0