单粒子效应的物理过程模拟

• 作者: 彭海波 王铁山 管明 赵江涛 郭红霞 陈哲浩
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 单粒子效应 热峰模型 温度效应
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 47-53
• 页数: 7页
• 分类号: O571.6
• 字数: 4598字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2019.030602

摘要

假定离子入射导致器件温度升高,部分电子被激发成为自由电子,当器件收集的自由电子的总电量超过其临界电荷量时,即会发生单粒子翻转现象,从而建立了一个新的单粒子效应物理模型.通过编写程序求解热扩散方程,得到了不同LET的离子入射下,硅材料的温度分布,并根据此温度分布,得到了硅材料内激发的自由电子数目.根据实验数据,使用威布尔函数拟合了LET与器件翻转截面之间的关系式,建立了自由电子数目与器件翻转截面之间的关系式.程序模拟结果表明,入射离子的LET相同时,器件初始温度越高,在器件中所激发出的自由电子数目越多,导致器件翻转截面越大.该模型解释了单粒子效应中随着器件温度升高,单粒子效应截面增加的现象.