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芯片表面的冷极性分子静电阱与微阱阵列
芯片表面的冷极性分子静电阱与微阱阵列
作者:
刘思琪
吴言
李胜强
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
冷极性分子
静电表面阱
微阱阵列
蒙特卡罗(MonteCarlo)模拟
摘要:
提出一种利用三根载荷金属杆来实现在芯片表面陷俘冷极性分子的静电阱.给出空间静电场等高线分布.通过调节电极电压操控阱中心距离芯片表面的高度.用经典的蒙特卡罗方法模拟冷分子被装载和囚禁的动力学过程.方案对中心速度为11 m·s-1的冷分子束,最大装载效率可以达到40%,阱中分子的温度大约为25 mK.方案可以进一步微型化/集成化,形成一维和二维静电微阱阵列,在量子计算/低维物理等方面有应用价值.
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文献信息
篇名
芯片表面的冷极性分子静电阱与微阱阵列
来源期刊
计算物理
学科
物理学
关键词
冷极性分子
静电表面阱
微阱阵列
蒙特卡罗(MonteCarlo)模拟
年,卷(期)
2019,(4)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
483-490
页数
8页
分类号
O561
字数
1980字
语种
中文
DOI
10.19596/j.cnki.1001-246x.7880
五维指标
作者信息
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1
李胜强
盐城师范学院新能源与电子工程学院
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吴言
盐城师范学院新能源与电子工程学院
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微阱阵列
蒙特卡罗(MonteCarlo)模拟
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研究来源
研究分支
研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
计算物理
主办单位:
中国核学会
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-246X
CN:
11-2011/O4
开本:
大16开
出版地:
北京市海淀区丰豪东路2号
邮发代号:
2-477
创刊时间:
1984
语种:
chi
出版文献量(篇)
2353
总下载数(次)
3
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