硫化钨薄膜的制备及光电特性研究

• 作者: 丁馨 徐铖 朱琳 桑雨欣 许珂 马锡英
• 来源期刊: 纳米技术
• 学科: 工学
• 关键词: 二硫化钨(WS2) 薄膜 化学气相沉积(CVD) 光电特性
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 页码范围: 101-106
• 页数: 6页
• 分类号: TB3

摘要

以硫化钨(WS2)饱和溶液为原料,氩气为输运气体,采用化学气相沉积法(CVD)在硅衬底上制备了大面积均匀的硫化钨薄膜。利用X射线衍射和原子力显微镜分析了薄膜的晶体结构及表面形貌,发现该方法生长的WS2薄膜结晶性良好,表面大面积均匀。并利用分光光度计测量了薄膜的光吸收特性,研究发现样品在737 nm附近有很强的光吸收。最后,研究了硫化钨薄膜与硅衬底形成的WS2/Si异质结的I-V特性曲线,发现该异质结器件具有良好的伏安特性;另外,光照下,该异质结在可见光区具有显著的光伏效应,说明可用于制备新型硫化钨二维光电子器件。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马锡英	苏州科技大学数理学院	34	79	6.0	7.0
2	许珂	苏州科技大学数理学院	7	0	0.0	0.0
3	丁馨	苏州科技大学数理学院	4	0	0.0	0.0
4	徐铖	苏州科技大学数理学院	8	0	0.0	0.0
5	朱琳	苏州科技大学数理学院	2	0	0.0	0.0
6	桑雨欣	苏州科技大学数理学院	1	0	0.0	0.0