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摘要：

Graphene has attracted great interest in optoelectronics, owing to its high carrier mobility and broadband absorption. However, a graphene photodetector exhibits low photoresponsivity because of its weak light absorption. In this work, we designed a graphene/MoSe2 heterostructure photodetector, which exhibits photoresponse ranging from visible to near infrared and an ultrahigh photoresponsivity up to 1.3 × 104 A·W?1 at 550 nm. The electron–hole pairs are excited in a few-layered MoSe2 and separated by the built-in electric field. A large number of electrons shift to graphene, while the holes remain in the MoSe2, which creates a photogating effect.

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篇名
来源期刊	中国光学快报（英文版）	学科
关键词
年，卷（期）	2019,（2）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	7-11
页数	5页	分类号
字数		语种	英文
DOI	10.3788/COL201917.020002