不同碳基体CVD SiC涂层的制备及其微观结构研究

• 作者: 何雨恬 林松盛 王昊 王秀连 邓畅光 黄东
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: CVD SiC 微观结构 SiC晶须
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 15-21
• 页数: 7页
• 分类号: TB332
• 语种: 中文

摘要

分别以高纯石墨、细颗粒石墨及低密度的C/C复合材料为基体,以MTS为SiC的先驱体原料,采用化学气相沉积工艺制备SiC涂层.通过扫描电镜(SEM)观察CVD SiC涂层的微观形貌,利用X射线衍射仪(XRD)分析其晶体结构.研究发现,在不同沉积基体上沉积的SiC晶体形貌不同.以高纯石墨为基体的试样表面基本不存在SiC晶须的生长特征;以细颗粒石墨为基体的试样的表面发现了SiC晶须的生长特征,且基体内部的SiC晶体具有一定的CVI特征,即靠近基体内部沉积的SiC晶体逐渐由SiC晶须变为SiC纳米线;以C/C复合材料为基体的试样内部和表面沉积的SiC晶体表现出多元化的形貌,以层状SiC晶体和SiC晶须为主,主要是由基体材料微观结构的多元化而导致沉积的微区气氛有所不同造成的.