漂移阶跃恢复二极管研究进展

• 作者: 宋法伦 张琦 金晓
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 漂移阶跃恢复二极管 高功率半导体开关 脉冲功率技术 离化波理论
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 8-13
• 页数: 6页
• 分类号: TN389
• 字数: 4126字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16540/j.cnki.cn11-2485/tn.2019.02.02

摘要

简单介绍了漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的物理特性以及工作机理.介绍了DSRD开关堆叠技术及两种典型电路,并分析其工作机理,且对比了多种半导体开关的参数.主要阐述了国内外漂移阶跃恢复二极管发展历程以及在脉冲功率技术中的应用.随着新材料的发展及新工艺、新结构的创新,展望了DSRD的发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	金晓	中国工程物理研究院应用电子学研究所	59	316	10.0	14.0
2	宋法伦	中国工程物理研究院应用电子学研究所	14	68	5.0	8.0
3	张琦	中国工程物理研究院研究生部	2	0	0.0	0.0