基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术

• 作者: 倪金玉 周建军 孔岑 孔月婵
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单片集成 p-GaN帽层 增强型GaN功率电子器件 数字电路
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: GaN基功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 53-56
• 页数: 4页
• 分类号: TM23
• 字数: 1481字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.53

摘要

基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发.在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器.高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2 V,击穿电压VBD达到700 V,输出电流ID达到8 A,导通电阻RON为300 mΩ.基于E/D集成技术的DCFL结构反相器低噪声和高噪声容限分别为0.63 V和0.95 V;所研制17级环形振荡器在输入6 V条件下振荡频率345 MHz,级延时为85 ps.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	倪金玉		1	1	1.0	1.0
2	孔岑		1	1	1.0	1.0
3	周建军		1	1	1.0	1.0
4	孔月婵		1	1	1.0	1.0