抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究

• 作者: 刘国柱 吴建伟 徐政 徐海铭 洪根深
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 埋氧 总剂量 加固
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 41-43,47
• 页数: 4页
• 分类号: TN306
• 字数: 2410字
• 语种: 中文

摘要

研究了抗辐射高压SOI埋氧总剂量加固技术,发现在总剂量辐射条件下不同埋氧加固工艺背栅阈值变化的情况.通过增加埋氧加固技术可以有效地抑制总剂量辐射环境下对高压器件的调制效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深	中国电子科技集团公司第五十八研究所	33	74	5.0	6.0
2	刘国柱	中国电子科技集团公司第五十八研究所	15	32	4.0	4.0
3	徐海铭	中国电子科技集团公司第五十八研究所	11	14	2.0	3.0
4	徐政	中国电子科技集团公司第五十八研究所	14	17	3.0	3.0
5	吴建伟	中国电子科技集团公司第五十八研究所	25	39	4.0	4.0