反应溅射法制备AZO薄膜的结构和透明导电性能

• 作者: 吴隽 李昆鹏 祝柏林 谢挺
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 复合靶材 反应溅射 AZO薄膜 透明导电性 禁带宽度 品质因子
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 页码范围: 443-449
• 页数: 7页
• 分类号: O735
• 字数: 3951字
• 语种: 中文

摘要

不同于常用的金属或氧化物靶材,本研究以表面粘贴Al片的Zn/ZnO混合物(Al@Zn/ZnO)为靶材,在衬底温度(Ts)为150℃和300℃,溅射气氛为Ar+O2和Ar+H2下反应溅射制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜.通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了Ts以及O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响.结果发现,随O2流量增加,两种Ts下制备的AZO薄膜保持(002)择优取向,薄膜中压应力呈下降的趋势,而薄膜结晶度趋向于先增加后略有下降.薄膜的导电性能随O2流量增加呈逐渐增强的趋势.当O2流量高于一定值时,薄膜可以获得较高的可见光透过率,因此达到较高的品质因子.当Ts从150℃ 增加到300℃,薄膜的压应力降低,结晶度提高,但导电性未见明显提高.另外,薄膜禁带宽度主要由薄膜中压应力决定.与Ar+O2下制备的AZO薄膜相比,Ar+H2气氛下制备的薄膜基本上为非晶态,其导电性能差,而可见光透过率较高、禁带宽度较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴隽	武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室	18	27	3.0	4.0
2	祝柏林	武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室	8	21	3.0	4.0
3	李昆鹏	武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	谢挺	武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室	2	2	1.0	1.0