介质衬底上生长h-BN二维原子晶体的研究进展

• 作者: 孟军华 张兴旺 高孟磊
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 六方氮化硼 二维材料 介质衬底 直接生长 综述
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1245-1256
• 页数: 12页
• 分类号: TM23|O782
• 字数: 7542字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20190086

摘要

六方氮化硼(h-BN)二维原子晶体以其独特的结构、优异的性质以及广泛的应用前景引起了人们的普遍关注.高质量h-BN材料的制备是其性质研究与实际应用的前提.机械剥离的h-BN尺寸有限,普遍采用的化学气相沉积(CVD)技术通常以过渡金属为衬底,器件应用时需要将h-BN转移到其它衬底上.因此,在介质衬底上直接生长h-BN成为二维材料研究领域的一个重要发展方向.本文总结了近年来介质衬底(包括:Si基衬底、蓝宝石衬底和石英衬底等)上直接生长h-BN二维原子晶体的主要进展.人们采用CVD、金属有机气相外延法(MOVPE)、物理气相沉积法(PVD)等方法,通过提高生长温度、衬底表面处理、两步生长等工艺实现了介质衬底上直接生长h-BN.此外,还介绍了介质衬底上h-BN二维原子晶体的主要应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张兴旺	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	30	153	8.0	10.0
5	高孟磊	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	1	0	0.0	0.0
9	孟军华	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	3	7	1.0	2.0