AlGaN/GaN异质结肖特基二极管研究进展

• 作者: 刘新宇 吴昊 孙跃 康玄武 王鑫华 赵志波 郑英奎 魏珂 黄森
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓(GaN) AlGaN/GaN异质结 肖特基二极管(SBD)
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: GaN基功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 44-52
• 页数: 9页
• 分类号: TN311+.8
• 字数: 3559字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.44

摘要

氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景.GaN基器件具有击穿电压高、开关频率高、工作结温高、导通电阻低等优点,可以应用在新型高效、大功率的电力电子系统.总结了AlGaN/GaN异质结肖特基二极管SBD(Schottky barrier diode)目前面临的问题以及目前AlGaN/GaN异质结SBD结构、工作原理及结构优化的研究进展.重点从AlGaN/GaN异质结SBD的肖特基新结构和边缘终端结构等角度,介绍了各种优化SBD性能的方法.最后,对器件的未来发展进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	魏珂	中国科学院微电子研究所	24	134	5.0	10.0
3	郑英奎	中国科学院微电子研究所	15	43	4.0	6.0
4	吴昊	中国科学院微电子研究所	38	91	6.0	9.0
5	王鑫华	中国科学院微电子研究所	6	0	0.0	0.0
6	黄森	中国科学院微电子研究所	7	0	0.0	0.0
7	康玄武	中国科学院微电子研究所	3	0	0.0	0.0
8	孙跃	中国科学院微电子研究所	6	12	2.0	3.0
9	赵志波	中国科学院微电子研究所	2	0	0.0	0.0