JFET的HPM及EMP损伤效应和机理分析

• 作者: 吴涵 李赟 李阳 杨银堂 柴常春
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 结型场效应晶体管 高功率微波 电磁脉冲 损伤效应 脉宽效应
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 电磁场与电磁波
• 页码范围: 22-28
• 页数: 7页
• 分类号: TN322.8
• 字数: 4177字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2019.030502

摘要

建立了N型结场效应晶体管(JFET)在电磁干扰下的2维电热模型,在栅极分别注入高功率微波(HPM)和强电磁脉冲(EMP)时,对工作在饱和区的JFET晶体管的瞬态响应进行了仿真分析.结果 表明,注入HPM时,器件内部的峰值温度呈周期性的“升高-下降-升高”变化规律,在信号工作的正、负周期,器件内部峰值温度均呈上升趋势,在器件的栅极和源极出现了2个烧毁点;注入EMP时,器件内部峰值温度上升呈“快速-缓慢-急剧”的变化趋势,易损伤部位出现在源极下方近栅极处,损伤机理与注入HPM时的正半周期损伤机理相似.通过拟合分析,分别得到了HPM和EMP注入下,能量损伤阈值和功率损伤阈值随脉宽的变化关系,并通过比较发现,在相同的脉宽下,注入EMP比注入HPM需要更少的能量和功率就可以毁伤器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院	420	2932	23.0	32.0
2	李阳	西安电子科技大学微电子学院	9	15	3.0	3.0
3	柴常春		3	0	0.0	0.0
4	李赟	西安电子科技大学微电子学院	1	0	0.0	0.0
5	吴涵		1	0	0.0	0.0