石墨烯改性PDC-SiCNO陶瓷的制备及其介电性能

• 作者: 余煜玺 夏范森 黄奇凡
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: 聚合物先驱体陶瓷 石墨烯 电学性能 制备
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 石墨烯专栏
• 页码范围: 8-14
• 页数: 7页
• 分类号: TB332|TB321|TB34
• 语种: 中文
• DOI: 10.11868/j.issn.1001-4381.2017.000662

摘要

以聚乙烯基硅氮烷 (PVSZ) 为原料, 氧化石墨烯 (GO) 为碳源, 无水乙醇 (ETOH) 为分散剂, 制备石墨烯球增强SiCNO陶瓷 (SiCNO-GO) .利用拉曼光谱 (Raman) 、电子自旋共振 (EPR) 和扫描电子显微镜 (SEM) 等表征手段, 研究SiCNO-GO陶瓷结构对其介电性能的影响.结果表明:SiCNO-GO陶瓷的微球密度和粒径的大小与GO的含量有关;随着SiCNO-GO陶瓷中GO含量的增加, SiCNO-GO陶瓷的介电常数和介电损耗也随之增大, 在GO含量为0.1％ (质量分数) 时达到最大值, 而当GO质量分数为0.3％时, SiCNO-GO陶瓷的介电常数和介电损耗降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余煜玺	厦门大学材料学院材料科学与工程系福建省特种先进材料重点实验室	19	135	5.0	11.0
2	夏范森	厦门大学材料学院材料科学与工程系福建省特种先进材料重点实验室	1	0	0.0	0.0
3	黄奇凡	厦门大学材料学院材料科学与工程系福建省特种先进材料重点实验室	1	0	0.0	0.0