级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用

• 作者: 刘雯 朱永生 裴轶 邓光敏 钱洪途 陈敦军
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率晶体管 级联结构 无线电能传输
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: GaN基功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 38-43
• 页数: 6页
• 分类号: O472.4
• 字数: 2957字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.38

摘要

为了进一步提升电能转换效率,介绍了一款基于650 V氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)的共栅共源级联(cascode)结构开关管及其在无线电能传输方面的应用.在GaN HEMT器件设计方面,通过仿真讨论了器件的场板设计对电容和电场的影响.所制造的cascode器件在650 V时漏电约为2μA,在源漏电压400 V时输入电容Cis、输出电容Cos和反向传输电容Crs分别为1500 pF、32 pF和12 pF,动态导通电阻升高约16％.基于该款cascode器件设计并展示了一款240～320 kHz、满载功率1 kW的无线充电样机,在200～1000 W负载范围内效率明显高于Si器件,最高效率超过95％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈敦军	南京大学电子科学与工程学院	17	44	3.0	5.0
2	钱洪途	南京大学电子科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
6	朱永生		1	1	1.0	1.0
7	邓光敏		1	1	1.0	1.0
8	刘雯	西交利物浦大学电气与电子工程系	1	1	1.0	1.0
9	裴轶		1	1	1.0	1.0