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二硫化钨/石墨烯异质结的界面相互作用及其肖特基调控的理论研究
二硫化钨/石墨烯异质结的界面相互作用及其肖特基调控的理论研究
作者:
胡吉松
郭丽娟
项炬
马新国
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
异质结
能带结构
肖特基接触
第一性原理
摘要:
采用第一性原理方法研究了二硫化钨/石墨烯异质结的界面结合作用以及电子性质,结果表明在二硫化钨/石墨烯异质结中,其界面相互作用是微弱的范德瓦耳斯力.能带计算结果显示异质结中二硫化钨和石墨烯各自的电子性质得到了保留,同时,由于石墨烯的结合作用,二硫化钨呈现出n型半导体.通过改变界面的层间距可以调控二硫化钼/石墨烯异质结的肖特基势垒类型,层间距增大,肖特基将从p型转变为n型接触.三维电荷密度差分图表明,负电荷聚集在二硫化钨附近,正电荷聚集在石墨烯附近,从而在界面处形成内建电场.肖特基势垒变化与界面电荷流动密切相关,平面平均电荷密度差分图显示,随着层间距逐渐增大,界面电荷转移越来越弱,且空间电荷聚集区位置向石墨烯层方向靠近,导致费米能级向上平移,证实了肖特基势垒随着层间距的增加由p型接触向n型转变.本文的研究结果将为二维范德瓦耳斯场效应管的设计与制作提供指导.
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文献信息
篇名
二硫化钨/石墨烯异质结的界面相互作用及其肖特基调控的理论研究
来源期刊
物理学报
学科
关键词
异质结
能带结构
肖特基接触
第一性原理
年,卷(期)
2019,(9)
所属期刊栏目
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向
页码范围
215-223
页数
9页
分类号
字数
5237字
语种
中文
DOI
10.7498/aps.68.20190020
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
马新国
湖北工业大学理学院
7
30
4.0
5.0
2
胡吉松
湖北工业大学理学院
1
0
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被引次数趋势
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引文网络
引文网络
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引证文献
(0)
同被引文献
(0)
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(0)
2019(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
异质结
能带结构
肖特基接触
第一性原理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
主办单位:
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-3290
CN:
11-1958/O4
开本:
大16开
出版地:
北京603信箱
邮发代号:
2-425
创刊时间:
1933
语种:
chi
出版文献量(篇)
23474
总下载数(次)
35
总被引数(次)
174683
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