微波合成片状β-SiC的工艺研究

• 作者: 宋勃震 张锐 李文豪 李纪鹏 王若名 理思远 范书珩 董陈江 高前程
• 来源期刊: 现代技术陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 片状β-SiC 微波加热 加热热效应
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 199-206
• 页数: 8页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16253/j.cnki.37-1226/tq.2019.03.004

摘要

片状β-SiC可通过使用石墨纸(C)作为碳源、正硅酸乙酯水解制得的SiO2溶胶-凝胶作为硅源、经微波加热合成.本文根据加热过程中微波炉加热温度、输入功率和反射功率的变化曲线,探讨了微波合成片状β-SiC过程中微波加热热效应.分别选择1100℃、1200℃、1300℃、1400℃和1500℃五个微波烧结温度,研究了相同保温时间下不同加热温度对微波合成片状β-SiC的影响.在烧结温度1300℃下,选取保温时间分别为0 min、10 min、30 min和60 min,探索了同一合成温度下不同保温时间对微波合成片状β-SiC的影响.采用XRD,SEM技术对样品进行了表征.结果 发现,烧结温度为1100℃时,产物中合成了片状β-SiC;当烧结温度为1400℃时,片状β-SiC转化为β-SiC颗粒.过高的烧结温度和过长的保温时间都将导致β-SiC的氧化.在1300℃保温30 min条件下得到的片状β-SiC生长最好.