基于N迁移效应自旋忆阻器可行性探究

• 作者: 刘磊 曾进 陆叶
• 来源期刊: 信息化研究
• 学科: 社会科学
• 关键词: HP忆阻器 N迁移效应 可行性
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 41-45
• 页数: 5页
• 分类号: G30
• 语种: 中文

摘要

文章介绍了迁移效应和自旋忆阻器原理,针对HP忆阻器,提出一种基于N迁移效应的自旋忆阻器的构想,从模型制备、可行性探究方面论证了理论可行性,并对下一步研究方向给出了思路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磊		38	58	4.0	5.0
2	陆叶		4	2	1.0	1.0
3	曾进		1	0	0.0	0.0