辐照后4H-SiC带电粒子探测器的特性研究

• 作者: 叶鑫 唐吉龙 夏晓川 崔兴柱 杨存 梁晓华 梁红伟 王登魁 韩冲 魏志鹏
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SiC 肖特基二极管 γ射线 探测器 电学特性 能量分辨率
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 核物理、交叉学科研究
• 页码范围: 050501
• 页数: 1页
• 分类号: TL814
• 字数: 2040字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11889/j.0253-3219.2019.hjs.42.050501

摘要

碳化硅材料因其禁带宽度大、晶体原子离位能高等物理特性,被视为制作耐高温、抗辐射器件极具代表性的宽带隙半导体材料.为观察辐照对4H-SiC肖特基二极管带电粒子探测器的电学特性及对α粒子响应的能量分辨率的影响.利用60Co源的γ射线对4H-SiC肖特基二极管探测器进行辐照实验.经过总剂量为1 000 kGy的γ射线辐照后,探测器的正向电流相较于辐照前减小了三个数量级;反向电流值在0~120 V偏压下没有明显变化,当反向偏压高于120 V时,反向电流值变化明显.同时,辐照前后对α粒子的能量分辨率没有明显变化.