掺杂剂对200mm重掺杂硅片APCVD工艺前表面颗粒的影响

• 作者: 何宇 刘斌 周旗钢 曲翔 肖清华 韩萍
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 颗粒 存放时间 重掺硅片 常压化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 668-672
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.XY17120022

摘要

在重掺硅衬底片背封过程中,硅片表面颗粒的尺寸和数量将会极大的影响到沉积薄膜的质量,并影响硅片几何特征的形成.主要针对不同掺杂剂的200mm重掺衬底硅片在进行常压化学气相沉积(atmospheric-pressure chemical vapor deposition,APCVD)生长SiO2薄膜前的颗粒沾污开展研究.将经过相同清洗及干燥工艺处理的硅片放置于有风机过滤机组(fan filter unit,FFU)存在的百级环境中,利用表面激光扫描方法对硅片表面粒径在0.3～0.5 μm范围的颗粒进行测试,分析重掺衬底硅片表面颗粒随存放时间的增长情况.结果 表明:在有FFU存在的百级环境中,随存放时间的延长:(1)同种掺杂剂硅片表面颗粒呈增长趋势,且粒径小的颗粒增长幅度较大;(2)不同掺杂剂硅片中,相比于重掺As,Sb的硅片,重掺B硅片表面颗粒的增长速度最快,而其他两种掺杂剂硅片表面颗粒增长速度相对较缓且差别不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周旗钢		35	176	8.0	12.0
3	曲翔		4	20	1.0	4.0
6	刘斌		3	22	2.0	3.0
7	肖清华		8	72	5.0	8.0
8	何宇		3	0	0.0	0.0
9	韩萍		1	0	0.0	0.0