碳化硅MOSFET的短路实验性能与有限元分析法热模型的开发

• 作者: D.Cavallaro E.Zanetti M.Pulvirenti M.Saggio
• 来源期刊: 电源世界
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅(SiC)MOSFET 短路 热模型 失效分析 栅极氧化层可靠性
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 页码范围: 25-27
• 页数: 3页
• 分类号: TN386

摘要

本文分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)结果。该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量,并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值,对短路行为的动态变化进行深度评估。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	D.Cavallaro		1	0	0.0	0.0
2	M.Pulvirenti		1	0	0.0	0.0
3	E.Zanetti		1	0	0.0	0.0
4	M.Saggio		1	0	0.0	0.0