APCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究

• 作者: 佟丽英 康洪亮 徐强 高丹
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 背封 APCVD SiO2膜
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 新工艺 新技术
• 页码范围: 345-347,355
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1702字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2019.06.010

摘要

背封技术可以有效防止硅外延过程中造成的自掺杂现象.讨论了APCVD制备二氧化硅膜工艺中膜厚、淀积温度和O2与SiH4比例等关系,分析了膜厚均匀性的影响因素和膜表面质量,提出了SiO2膜淀积的工艺条件及背封前清洗方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	佟丽英	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	22	3.0	3.0
2	高丹	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	4	1.0	2.0
3	康洪亮	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	2	1.0	1.0
4	徐强	中国电子科技集团公司第四十六研究所	2	0	0.0	0.0