锗(Ge)材料中砷(As)离子注入掺杂和退火激活的实验研究

• 作者: 曾锦城 王久川 詹镇业 许金铃 陈佳仪 陈城钊 陈景乐
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: n型锗材料 砷离子注入 快速热退火
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 278-280,286
• 页数: 4页
• 分类号: TN312
• 语种: 中文

摘要

采用离子注入和快速热退火处理获得n型锗材料,利用拉曼(Raman)光谱、二次离子质谱(SIMS)、扩展电阻测试(SRP)和四探针等分析方法,分别研究了样品热退火前后的微结构和电学性能.实验结果表明,该掺杂方法能得到稳定的n型锗材料,其电学性能随热退火温度的升高和时间的缩短而进一步改善,其中在700℃、3 s退火条件下,样品的电学激活浓度约为3.14×1019 cm-3,方块电阻为63.5Ω/sq.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈城钊	韩山师范学院物理与电子工程学院	23	86	5.0	8.0
2	许金铃	韩山师范学院物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0
3	詹镇业	韩山师范学院物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0
4	陈佳仪	韩山师范学院物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0
5	王久川	韩山师范学院物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0
6	曾锦城	韩山师范学院物理与电子工程学院	1	0	0.0	0.0