不同种类表面活性剂对a面蓝宝石衬底CMP的影响

• 作者: 周佳凯 崔雅琪 牛新环 王治
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: a面蓝宝石衬底 化学机械抛光(CMP) 表面活性剂 去除速率 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 883-887,898
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.11.010

摘要

研究了在抛光液中分别添加非离子表面活性剂异辛醇聚氧乙烯醚(JFCE)、阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸(LAS)和阳离子表面活性剂十二烷基三甲基氯化铵(DTAC)对a面蓝宝石衬底化学机械抛光(CMP)去除速率和表面状态的影响.通过对抛光液中磨料粒径和Zeta电位的分析可知,JFCE、LAS对粒径和Zeta电位影响不大,DTAC对粒径和Zeta电位有一定影响,当DTAC体积分数增加到0.5％时,抛光液中会出现凝胶现象.采用原子力显微镜、接触角检测仪对CMP后蓝宝石表面状态进行了分析和表征,结果表明,在一定浓度范围内三种表面活性剂均有助于提高蓝宝石去除速率和降低表面粗糙度,当其体积分数均为0.4％时,使用添加DTAC的抛光液时a面蓝宝石的去除速率最大、表面粗糙度最低,更有利于衬底表面的洁净化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛新环	河北工业大学电子信息工程学院	69	406	10.0	17.0
5	周佳凯	河北工业大学电子信息工程学院	3	0	0.0	0.0
7	王治	河北工业大学电子信息工程学院	2	0	0.0	0.0
9	崔雅琪	河北工业大学电子信息工程学院	2	0	0.0	0.0