基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析

• 作者: 姚盛秾 李霞光 汤天浩 范辉 韩金刚
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: 增强型氮化镓晶体管(GaNHEMT) 半桥LLC 软开关 损耗分析
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: GaN基功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 83-90
• 页数: 8页
• 分类号: TM46
• 字数: 4123字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.83

摘要

较之于传统硅器件,新出现的增强型氮化镓晶体管GaN HEMTs(gallium nitride high electron mobility transistors)具有很高的开关速度和高功率密度的特性,可以为直流变换器提供有效的改进.为了解决GaN HEMT在硬开关应用场合下的波形振荡并提高功率密度和效率,采用半桥LLC谐振变换器为本次应用的拓扑结构.以减小损耗为目的,优化了LLC的谐振参数和死区时间.在400 V输入电压、开关频率300 kHz和输出电压18 V电流12 A的测试条件下,效率达到95.59％.最后对变换器的损耗来源进行分析,损耗的理论计算值接近实际测量值,证明了方法具有一定的实用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩金刚	上海海事大学物流工程学院	29	222	9.0	14.0
2	汤天浩	上海海事大学物流工程学院	99	615	14.0	18.0
3	范辉	上海电机学院电气学院	10	135	5.0	10.0
4	姚盛秾	上海海事大学物流工程学院	1	0	0.0	0.0
5	李霞光	上海海事大学物流工程学院	1	0	0.0	0.0