基于GaN器件的PFC设计

• 作者: 刘元超 张卫平 焦探
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN晶体管 PFC整流器 高频 高功率密度
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: GaN基功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 78-82
• 页数: 5页
• 分类号: TM23
• 字数: 870字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.78

摘要

针对氮化镓GaN(gallium nitride)功率晶体管在AC-DC变换器当中的应用进行设计.首先,在了解GaN器件的基本特性后,通过LTspice仿真软件搭建了PFC电路,分析了GaN寄生参数对驱动电路的影响,得出的结果对PFC的PCB布局有明显的帮助,应尽量减小驱动器与GaN器件之间的距离,从而达到降低寄生电感的作用;然后,对高频Boost PFC电路进行了分析以及电感和电容的设计;最后,通过仿真验证了设计的正确性,并以UC3854为控制器搭建了1台2.5 kW 500 kHz的高功率密度PFC样机,测得的驱动波形稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘元超	北方工业大学节能照明电源集成与制造北京市重点实验室	21	65	3.0	8.0
2	张卫平	北方工业大学节能照明电源集成与制造北京市重点实验室	53	331	9.0	17.0
3	焦探	北方工业大学节能照明电源集成与制造北京市重点实验室	1	0	0.0	0.0