高纵横比间距下TiN残留物的解决方案

• 作者: 黄庆丰
• 来源期刊: 集成电路应用
• 关键词: 集成电路制造 接触孔 TiN残留物 BPSG HDPUSG
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 30-32
• 页数: 3页
• 字数: 2361字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.05.009

摘要

讨论在标准0.18μm CMOS逻辑平台上加入一次性编程单元(OTP Cell)后,工艺所面临的问题.由于OTP Cell的设计尺寸远小于0.18μm技术代的设计要求,导致用传统工艺对OTP Cell中具有高纵横比的间距进行填充时,会出现空洞.该空洞贯通前后接触孔(CT),使得后续在沉积TiN时,TiN会残留在空洞侧壁上,使相邻接触孔短路,从而导致OTP失效.为了解决这个问题,从多个方面进行了方案设计,包括硼磷硅玻璃(BPSG)中硼(B)和磷(P)的浓度,BPSG的厚度,回流温度以及在BPSG之前先沉积一层高密度等离子体氧化物(HDP USG).实验结果表明,只有在BPSG之前先沉积一层HDP USG的工艺方案才是有效的,才可以消除空洞,从而消除TiN残留物.同时,器件性能不受影响,并实现了高良率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄庆丰		2	0	0.0	0.0