N/Al共掺ZnO透明导电薄膜的制备及光电性能研究

• 作者: 陈礼炜 高松华 高立华
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 射频磁控溅射 退火处理 溅射功率 光电性能
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 830-832,851
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2019.06.017

摘要

采用射频磁控溅射和追火处理方法在普通玻璃基底上制备了 N 、Al共掺的 ZnO薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、四探针电阻测试仪和紫外-可见光光谱及X射线光电子能谱(XPS)等测试手段,分析了溅射功率对薄膜表面形貌结构及光电性能的影响.研究结果表明:不同溅射功率下所制备的薄膜均为具有 c轴择优取向的六角纤锌矿结构,在可见光范围内,平均透过率都超过了 85％;在溅射功率为 140W条件下,N 、Al共掺的 ZnO薄膜显示出 p型导电特性.