SiO2疏松体高温脱羟过程数值模拟

• 作者: 张国君 方海生 欧阳葆华 王韬 马千里
• 来源期刊: 玻璃与搪瓷
• 学科: 工学
• 关键词: 传热传质 SiO2疏松体 数值模拟 羟基 多孔介质
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与实验报告
• 页码范围: 7-11
• 页数: 5页
• 分类号: TQ171.4+11
• 字数: 2451字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13588/j.cnki.g.e.1000-2871.2019.06.002

摘要

建立了SiO2疏松体高温脱羟及烧结过程的多物理场耦合模型,综合考虑了脱羟化学反应、多孔介质传热传质、孔隙率变化等复杂的物理现象,通过与实验数据对比验证了模型的可靠性.通过模拟分析了SiO2疏松体脱羟过程的热质输运规律,详细探究了主要参数,如温度分布、孔隙率、羟基及水蒸气含量、羟基分布等的变化特征.基于模拟结果,研究了脱羟过程升温曲线对最终羟基含量及分布的影响,发现随着脱羟时间的延长,最终的羟基含量降低且羟基分布的均匀性增加.已有结论可为实际工业生产中确定脱羟工艺提供理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方海生	华中科技大学能源与动力工程学院	3	0	0.0	0.0
2	马千里	华中科技大学能源与动力工程学院	3	1	1.0	1.0
3	张国君		2	0	0.0	0.0
4	欧阳葆华		1	0	0.0	0.0
5	王韬		1	0	0.0	0.0