Mg在Si(220)表面吸附的第一性原理计算

• 作者: 张佳佳 李娜 李晓琴 苏蓉 赵辉
• 来源期刊: 天津师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 表面吸附 Mg/Si(220)体系 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 物理与材料科学
• 页码范围: 16-20
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.3
• 字数: 3242字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19638/j.issn1671-1114.20190204

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势的方法,通过搜寻Mg原子在硅Si(220)晶面上的最佳吸附位置,计算Mg/Si(220)体系的吸附能、电子态密度、电子布居和功函数等,系统研究了Mg原子在Si(220)表面的吸附过程.结果表明:Si表面Mg原子的最稳定吸附位置为Si(220)晶面的穴位,此时吸附能最低.同时,Mg/Si(220)体系中Mg原子的2p和3s轨道电子与Si原子的3s和3p轨道电子间的强相互作用使体系的电子布居和功函数发生改变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵辉	天津师范大学物理与材料科学学院	33	45	5.0	5.0
2	李娜	天津师范大学物理与材料科学学院	25	68	5.0	7.0
3	苏蓉	天津师范大学物理与材料科学学院	2	0	0.0	0.0
4	李晓琴	天津师范大学物理与材料科学学院	2	0	0.0	0.0
5	张佳佳	天津师范大学物理与材料科学学院	5	3	1.0	1.0