沉积电压对纳米多孔氧化锰膜电容性能的影响

• 作者: 孟凡腾 张世超 张林森 方华 闫继
• 来源期刊: 电镀与精饰
• 学科: 工学
• 关键词: 二氧化锰 电化学沉积法 纳米棒阵列 超级电容器
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TQ152
• 字数: 2221字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3849.2019.03.001

摘要

采用阳极电化学沉积法在镍片上沉积纳米多孔氧化锰膜.利用XRD和SEM对氧化锰膜进行物性分析,利用线性伏安扫描、循环伏安和恒流充放电法进行电化学电容性能测试.研究表明在0.5 V(vs.SCE)沉积的氧化锰膜呈现出纳米多孔的纳米花形貌,当沉积电压增加时,氧化锰纳米片的颗粒的尺寸会变小,逐渐转变为由氧化锰纳米纤维构成的纳米多孔膜;所制备的氧化锰膜均为非晶相.电化学测试表明所制备的氧化锰膜电极具有较好的电容性能,其中在0.5 V(vs.SCE)沉积的氧化锰膜比电容最高,在0.3 mA/cm2的充放电电流密度下高达189 F/g,电流密度增加到10mA/cm2时比电容为83 F/g.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张世超	北京航空航天大学大学材料科学与工程学院	63	547	11.0	22.0
2	张林森	郑州轻工业大学材料与化学工程学院	54	166	7.0	10.0
3	方华	郑州轻工业大学材料与化学工程学院	22	36	3.0	4.0
4	闫继	郑州轻工业大学材料与化学工程学院	7	24	3.0	4.0
5	孟凡腾	郑州轻工业大学材料与化学工程学院	2	0	0.0	0.0