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利用VAD工艺制造G.657.A2光纤的研究
利用VAD工艺制造G.657.A2光纤的研究
作者:
沈一春
秦钰
钱宜刚
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
气相轴向沉积法
G.657.A2
宏弯损耗
波导结构
掺氟
摘要:
近年来,G.657.A2光纤已成为高性能接入网广泛使用的光纤.为了实现其优质、高效的批量制造,介绍了利用气相轴向沉积法(VAD)制造G.657.A2光纤的工艺方法,通过优化波导结构设计和制造工艺参数,改善了VAD光纤制造工艺制造G.657.A2芯棒时出现的波导结构和宏弯损耗性能不够稳定的缺点.通过对光纤的宏弯损耗性能进行理论分析,结合VAD光纤制造工艺的工艺特点,确立了光纤的波导结构设计;再对用VAD工艺制造下凹包层波导结构进行研究,通过实验对比明确了具有优越宏弯损耗性能的光纤包层沉积工艺参数.对所研制的G.657.A2光纤进行了测试,结果表明VAD光纤制造工艺的产品性能好且生产效益高,是一种值得推广的G.657.A2弯曲损耗不敏感光纤的制造方法.
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文献信息
篇名
利用VAD工艺制造G.657.A2光纤的研究
来源期刊
光通信技术
学科
工学
关键词
气相轴向沉积法
G.657.A2
宏弯损耗
波导结构
掺氟
年,卷(期)
2019,(10)
所属期刊栏目
光纤光缆
研究方向
页码范围
16-21
页数
6页
分类号
TN914
字数
5442字
语种
中文
DOI
10.13921/j.cnki.issn1002-5561.2019.10.004
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
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1
秦钰
2
1
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1.0
2
沈一春
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钱宜刚
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二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
气相轴向沉积法
G.657.A2
宏弯损耗
波导结构
掺氟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光通信技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第34研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1002-5561
CN:
45-1160/TN
开本:
大16开
出版地:
广西桂林市5号信箱
邮发代号:
48-126
创刊时间:
1977
语种:
chi
出版文献量(篇)
4439
总下载数(次)
8
总被引数(次)
17658
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