基于工艺的GaN HEMT抗辐射加固研究进展

• 作者: 尹丽晶 席善斌 彭浩 裴选 高东阳 高金环
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: GaN HEMT技术 抗辐射加固 有源区隔离工艺 沟道层厚度 钝化层结构 衬底材料
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 3612字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2019.02.001

摘要

GaN HEMT由于其具有高频、高温、大功率、抗辐射等特性,在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中具有广阔的应用前景.虽然GaN HEMT较Si基半导体器件具有优越的抗辐射特性,但距GaN材料本身的抗辐射能力和水平仍存在较大差距,GaN HEMT制造工艺是导致这一差距产生的主要原因.通过调研、分析近几年国际报道的GaN HEMT制造工艺对辐射效应的影响,分别从有源区隔离工艺、GaN沟道层厚度、钝化层结构和衬底材料四个方面作出对比,分析可能的原因,给出一种加固工艺优选方法,以期对我国抗辐射加固GaN HEMT研制提供借鉴和指导.