500V增强型与耗尽型集成VDMOS器件设计

• 作者: 李学会 詹小勇 许玉欢 黄昌民
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 增强型VDMOS 耗尽型VDMOS 元胞结构 隔离结构 工艺设计
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 36-40
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2631字
• 语种: 中文

摘要

增强型与耗尽型集成VDMOS器件是LED驱动电路中一种高效、低成本的功率器件.其设计制造要解决的主要问题是两种VDMOS器件工艺的集成问题和两种器件之间的隔离问题.提出一种隔离良好、芯片面积较小的增强型与耗尽型集成VDMOS设计和制造方法,耗尽管位于增强管里面比耗尽管位于增强管外面时耗尽管芯片面积减小74％.测试结果表明500V增强型VDMOS击穿电压BV DSS平均值为550 V,耗尽型VDMOS击穿电压BVDSX平均值为540 V,增强型VDMOS平均阈值电压VTH为3.2 V,耗尽型VDMOS平均阈值电压Vp为-3.7 V,两种管子总良率在94％以上,达到预期的设计目的,并成功应用于LED等产品中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李学会		1	0	0.0	0.0
2	黄昌民		1	0	0.0	0.0
3	詹小勇		1	0	0.0	0.0
4	许玉欢		1	0	0.0	0.0