狭缝式化学气相沉积制备SiC涂层及其抗氧化性能研究

• 作者: 任兵 何雨恬 刘桦 廖超前 张明瑜 王昊 黄东 齐绍忠
• 来源期刊: 材料研究与应用
• 关键词: CVD SiC 微观结构
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 202-206,219
• 页数: 6页
• 分类号: TB332
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-9981.2019.03.007

摘要

为了改善SiC涂层试样的均匀性,同时提高制备效率,利用石墨材料为沉积基体,通过狭缝式化学气相沉积法制备SiC涂层,同时分析并研究了SiC涂层的微观结构和抗氧化性能.研究结果表明:与普通化学气相沉积工艺相比,狭缝式化学气相沉积工艺沉积速率更大,沉积1h后涂层厚度为17.3 μm;狭缝式化学气相沉积工艺制备的SiC涂层晶粒更细,涂层均致密无缺陷,与基体相容性较好.狭缝式化学气相沉积的SiC涂层在1500℃时下具有较好的氧化防护能力,在静态空气中恒温氧化24 h后,氧化失重仅为4.01 mg/cm2.狭缝式化学气相沉积的SiC涂层表面裂纹的尺寸很小,在氧化过程中更容易被氧化产生的SiO2玻璃态物质封填,而发生自愈合效应,从而使涂层具有良好抗氧化性能.